日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采取热加强PowerPAK SC-75封装、供给8V～30V VDS的功率MOSFET，扩大年夜了N沟道TrenchFET家族的┞敷容。此次宣布的器件包含业界首款采取1.6mm×1.6mm占位的30V器件，以及具有业内最低导通电阻的20V MOSFET。

已经宣布的Siliconix SiB414DK是首款8V单N沟道功率MOSFET，也采取PowerPAK SC-75占位的封装，30V SiB408DK和20V SiB412DK的参加进一步强大年夜了该产品系列。SiB408DK在10V时的导通电阻只有40mΩ，SiB412DK在4.5V时的导通电阻低至34mΩ，比最接近的竞争器件低21%。

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PowerPAK SC-75封装的尺寸为1.6mm×16.mm×0.8mm，比2mmx2mm的器件小72％，比广泛应用的TSOP-6器件小72%，同时具有近似的导通电阻。而对设计者来说，更小尺寸的PowerPAK SC-75可以或许在便携式电子产品中节俭空间、降低功耗，大年夜而在知足花费者对电池运行时光请求的前提下，供给更多的功能。

N沟道PowerPAK SC-75功率MOSFET的典范应用包含负载、功放和便携式电子产品中的电池开关。与常用的3mm×3mm封装比拟，该器件可节约在1/8砖或1/16砖电源模块中的所占空间。SiB408DK还可用做标记本电脑和上彀本中的负载开关。

这些器件相符IEC 61249-2-21的无卤素规范和RoHS指令2002/95/EC。MOSFET百分之百经由过程了Rg和UIS测试。

新款N沟道PowerPAK SC-75功率MOSFET现可供给样品，并已实现量产，大年夜宗订货的供货周期为十周至十二周。