25 V器件应用设计、封装及材料技巧以供给MOSFET能效基准，用于办事器及电信交换机应用 

封装及价格

2014年5月21日 – 推动高能效立异的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出新系列的6款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，它们经由设计及优化，供给领先业界能效，优于市场现有器件。NTMFS4Hxxx及NTTFS4Hxxx系列MOSFET极合实用作办事器、收集设备及高功率密度DC-DC转换器等多种应用的开关器件，或者用于合营负载点(POL)模块中的同步整流。这些器件供给包含及不包含集成一个肖特基二极管的不合版本，能赞助工程师供给更高能效。

安森美半导体深知终端产品机能越来越强调高能效，故优化了新功率MOSFET的设计、材料及封装，以降低损耗。0.7毫欧(mΩ)的一流导通阻抗(RDSon)机能和3780皮法(pF)的低输入电容确保导电、开关及驱动器等损耗降至最低。安森美半导体还沉思熟虑，确保这些MOSFET供给较现有器件更优的热机能和低封装阻抗及感抗。

安森美半导体功率分立产品副总裁兼总经理Paul Leonard说：“将导电及开关损耗降至最低以优化总能效，是越来越多终端市场设计人员极欲望可实现的目标。我们应用工艺、材料和封装专知和技巧，成功将功率MOSFET的机能晋升到新的程度，赞助我们客户达到他们严格的设计机能目标。”

NTMFS4H01N、NTMFS4H01NF、NTMFS4H02N及NTMFS4H02NF采取无铅SO8-FL封装，每1,500片批量的单价分别为2.99、3.06、1.86和1.93美元；NTTFS4H05N及NTTFS4H07N采取无铅μ8-FL封装，每1,500片批量的单价分别为0.86和0.67美元。 

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