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三菱电机在PCIM亚洲展表态的六款新品大年夜受不
发布时间:2016-07-15 人气:0次 编辑:未知
三菱电机(www.MitsubishiElectric-mesh.com)于6月19日方才落下帷幕的PCIM亚洲展上大年夜放异彩,以“立异功率器件构建可持续将来”为题,携六款全新产品,在上海世博展览馆举办的PCIM亚洲展2014中隆重表态,现场不雅众络绎一向。
三菱电机PCIM展位上不雅众络绎一向
记者会现场:(左至右) 大年夜中国区三菱电机半导体市场总监 钱宇峰 MEGP技巧营业课课长 商明师长教师 三菱电机功率器件制造所总工程师 佐藤低廉甜头 大年夜中国区三菱电机半导体总经理 四个所大年夜亮 本年展出的产品范围跨越六大年夜范畴,包含:工业应用、变频家电应用、可再生能源竽暌功用、铁路牵引和电力应用、电动汽车应用以及碳化硅器件应用。 在新产品方面,此次展出的全新第7代IGBT模块,合适应用在工业驱动和太阳能发电上。它采取了第7代IGBT硅片和二极管硅片;具有650V、1200V和1700V三种电压等级;进步应用门极电阻优化dv/dt的可控性;涵盖模块电流75A至2500A;持续传统的三种封装,适应不合的构造设计需求;采取预涂热界面材料,降低模块与散热器的接触热阻。 在高端变频器和伺服驱动器应用方面,三菱电机此次推出的G系列IPM(智能功率模块),采取第7代CSTBTTM硅片,进一步降低损耗;采取更合适伺服驱动应用的┞翻长形封装;兼容控制管脚和现有L1系列雷同。 对于铁路牵引和直流输电应用,新推出了X系列HVIGBT。其采取了最新一代HVIGBT,进一步晋升3.3kV/4.5kV/6.5kV的电流等级;应用第7代IGBT和RFC Diode硅片技巧,实现更低饱和压降和开关损耗;采取针对电力传输应用的6500V/1000A单管HVIGBT。 在电动汽车应用上,最新的J1系列EV T-PM模块,采取Pin-fin底板的六合一汽车用IGBT模块;应用低损耗的第7代IGBT硅片技巧;与传统构造比拟,热阻降低40%,安装面积减小40%;合适体积紧凑的电动车。 别的,针对太阳能发电,三菱电机还展出三电平逆变器用IGBT模块,它的特点是低损耗、低电感、高绝缘和易并联,能完全知足正在成长的太阳能发电市场的须要。 在碳化硅器件应用方面,三菱电机本年将持续展出四款产品,包含用于变频空调的混淆碳化硅DIPIPMTM、用于伺服驱动器的混淆碳化硅IPM、用于新能源发电的全碳化硅MOSFET模块、以及用于铁路牵引的混淆碳化硅HVIGBT。
三菱电机功率器件制造所总工程师 佐藤低廉甜头
三菱电机大年夜中国区半导体市场总监 钱宇峰
三菱电机工程师为媒体、不雅众细心讲解
与传统的硅功率器件比拟,碳化硅功率器件具有关断拖尾电流极小、开关速度快、损耗低、耐高温的特点。采取碳化硅功率器件开辟电力电子变流器,能进步功率密度,缩小装配体积;晋升变流器效力;进步开关频率,缩小滤波器体积;确保高温情况下运行的靠得住性;还易于实现高电压大年夜功率的设计。碳化硅功率器件可广泛用于节能、高频和高温三大年夜电力电子体系。
为了便利客户采取新型功率模块开辟变流器产品,三菱电机还将展示多种一体化应用解决筹划,包含基于新MPD的风电用MPDStacK;基于新MPD的500kW光伏逆变器功率组件;基于工业用小型DIPIPMTM的伺服驱动器解决筹划;基于第6代DIPIPMTM 的通用变频器解决筹划;基于第6代DIPIPMTM的变频空调紧缩机驱动解决筹划; 基于MOS DIPIPMTM 的变频冰箱紧缩机驱动解决筹划;及J1系列EV T-PM测试套件。
作为全球首家控制功率半导体硅片技巧和封装技巧的公司,三菱电机将积极致力于基于新材料的开辟和应用,尽力为电力电子业界奉献高机能和高靠得住性的功率半导体模块。{nextpage}
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