2009年12月15日 – 重要高机能、高能效硅筹划供给商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出高度集成保护的NCV840x系列低端自保护MOSFET。这系列器件经由过程了AEC-Q101标准认证，异常实用于严格的汽车及工业工作情况中的开关应用。

NCV840x系列器件采取 SOT-223、DPAK及SOIC8封装，在严格的汽车及工业应用情况中供给强固及靠得住的驱动功能

安森美半导体汽车电源产品总监Jim Alvenaz说：“汽车中的电子成分持续增长，须要供给能赞助削减元器件数量及节俭名贵电路板空间的半导体筹划。安森美半导体的NCV840x系列赞助设计人员达到这些目标，供给强固的体系设计足以合营汽车严格的应用情况。” 

特点及优势

NCV8401、NCV8402、NCV8402D(双裸片)、NCV8403及NCV8404的设计是为了供给强固及靠得住的工作，这些器件全都有丰富的自保护特点，包含限温及限流、静电放电(ESD)保护，以及用于过压保护(OVP)的集成漏极至栅极钳位。

NCV8401、NCV8402D及NCV8403的额定漏极至源极电压(VDSS)为42伏特(V)，最大年夜漏极电流(ID)分别为33安培(A)、2 A和15 A。NCV8405的VDSS为40 V，最大年夜额定ID为6 A。所有这些器件的┞筏极至源极电压(VGS)为±14 V。

这新系列的所有器件均供给低导通阻抗(RDS(ON))值，赞助实现更高能效的体系设计。NCV8401、NCV8402D、NCV8403及NCV8405在10 V的RDS(ON)值分别为23毫欧(mΩ)、165 mΩ、53 mΩ和90 mΩ。

这些器件都供给−40 °C至150 °C的宽工作温度范围及高静电克制等级(25°C结温时为4,000 V)。当VGS为5 V及10 V时，封闭温度限制分别设定在175?C及165?C。

封装及价格
NCV840x器件采取无铅SOT-223、DPAK及SOIC8封装，批量每1,000片的单价介于0.25美元至0.58美元之间。