新推出的12款功率MOSFET采取瑞萨科技的0.18μm第十代工艺，并已针对此应用优化。相较于瑞萨科技以前的产品(RJK1056DPB，可遭受 100V电压)，栅漏负载电容器(Qgd)约降低50%。为了降低隔离式DC/DC整流器的耗电量，必须使功率MOSFET具有较低的┞筏漏负载电容器 (Qgd)，栅漏负载电容器是达到较低开关耗费的关键身分。

隔离式DC/DC整流器的输入及输出电压，根据所采取之功率 MOSFET的电压耐受范围而定。在隔离组件方面，隔离式DC/DC整流器包含一个重要电源供给器做为输入端，以及次要电源供给器做为输出端。新款的功率 MOSFET包含遭受电压80V及100V的产品，重要实用于输入端，另有遭受电压40V及60V的产品，重要实用于输出端。

新款MOSFET采取瑞萨科技经由实证的LEPAK高效能封装，可同时供给较低的封装阻抗及优良的散热特点，避免组件过热。相较于传统的SOP-8或类似封装，此种封装本身有助于产品的低损耗特点。内部的连接与框架直接相连，可降低封装电感并确保实用于高频率运作。

不久前，瑞萨科技(Renesas Technologies)推出12款实用于隔离式DC/DC整流器的第十代功率MOSFET，实用于办事器、通信设备、工业设备等电源供给器。新推出的功率MOSFET可降低开关损耗，晋升能源效力并涵盖多种电压范围(40V、60V、80V、100V)。