ASM International近日推出了其PowerFillTM的海外硅（Epi Si）沟槽填充工艺。新工艺可使带有掺杂物的海外硅深沟无裂缝填充。PowerFill是一个精深的工艺技巧，因为它是同类流程速度的3倍，降低制造成本，创造了为电源设备设计在设计程度上新的级别。

Fairchild半导体公司是第一家客户，以处理其先辈电源治理器件，已完成其在韩国工厂的核实。对于这种应用，ASM的PowerFill的处理可以实现电源治理器件和电路的┞芳用空间，大年夜而削减损耗和临盆成本。

“对于离散式功率的请求MOSFETs是要降低电阻导通，降低栅极电荷和进步电流才能” Fairchild的技巧处理主管CB Son表示。 “具备PowerFill的Epsilon对象的机能一向令人印象深刻的，其一个重要的有利身分就是我们可以成功地融入这一先辈的沟槽海外处理，能我们熟悉到，因成本节俭而带来的加工吞吐量的明显改良。”

与其它须要经由过程海外反竽暌功堆进行多重传递来实现类似设备构造的处理比拟而言，立异后的ASM Epsilon沟槽弥补技巧的开辟可以或许在无裂缝海外处理一步完成。单一步调的处理可以或许使硅海外处理的吞吐量增长三倍，同时保持无裂缝填充的特点，平均性好，产量。 ASM海外技巧总监Shawn Thomas说到：“这种高速沟槽填充技巧的开辟将是展示ASM与客户合作，使先辈的材料和批量临盆海外技巧的一个例证”。