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恩智浦半导体（NXP Semiconductors）近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶体管的前8种产品。该产品家族分成两种优化的分支：超低VCEsat晶体管以及高速开关晶体管。其电压范围为20 V-60 V，采取小型SMD封装SOT23 (2.9×1.3×1 mm)和SOT457 (2.9×1.5×1 mm)。

这些晶体管称为冲破性小旌旗灯号(BISS)晶体管，正如其名，它们为削减打劝导通登浊蟹立了新的基准，使开关时光减到绝对最小值。超低VCEsat 分支的晶体管在1 A时实现了50 mV的超低饱和电压。4种新的高速开关晶体管使开关和存储时光降低到125 ns。新型BISS-4产品注解，双极晶体管技巧为请求更高机能和降低开关损耗的应用供给了幻想选择。

新的BISS-4晶体管供给了高电路效力、低功率损耗，产生的热量要小于雷同封装的标准晶体管。这些新产品的DC集电极电流为4.3 A (峰值 ICM 8 A)，采取小型SOT23封装，其机能是采取SOT23的上一代低VCEsat 晶体管的两倍。新的BISS-4晶体管是为大年夜批量花费者应用、通信应用、计算应用和汽车应用中的负荷开关、开关式电源(SMPS)和档链治理功能设计的。

所有8种新型晶体管都知足AEC-Q101标准，其封装不含卤化物和氧化锑，知足UL 94V-0阻燃标准和RoHS标准。在2010年第一季度末即将推出的SMD封装的其它类型SOT89、SOT223和SO-8，将扩大年夜新的低VCEsat (BISS)晶体管系列。恩智浦半导体在10年前推出了BISS晶体管家族，今朝是这些产品的引导供给商。

恩智浦最新推出的低VCEsat 晶体管现可订货。恩智浦可以急速为设计供给样品。