日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款双路12V P沟道TrenchFET功率MOSFET——SiA975DJ。新器件具有迄今为止双路P沟道器件中最低的导通电阻，采取2mm×2mm占位面积的热加强型PowerPAK SC-70封装。

经由过程推出SiA975DJ，Vishay将其第三代P沟道TrenchFET技巧扩大到双路12V功率MOSFET，并且采取了实用于手持式电子设备的超小PowerPAK SC-70封装。新器件可用于游戏机及手机、智妙手机、PDA和MP3播放器等便携式设备中的负载、PA和电池开关。

对于这些设备，SiA975DJ的更低导通电阻意味着更低的传导损耗，使器件可以或许用比以往市场上采取超小封装的双路P沟道功率MOSFET更少的能量完成开关工作，大年夜而延长两次充电之间的电池寿命。MOSFET的低导通电阻还意味着在峰值电流下的电压降更低，可以或许更好地防止IC和负载出现欠压锁定情况。如许，设计者就可以应用电压更低的电池。

SiA975DJ具有超低的导通电阻，在4.5V、2.5V和1.8V下的导通电阻分别为41mΩ、60mΩ和110mΩ。最接近的20V P沟道器件的┞筏源电压等级为8V，在4.5V和2.5V栅极驱动下的导通电阻为60mΩ和80mΩ。这些数值分别比SiA975DJ高32%和25%。

SiA975DJ的PowerPAK SC-7封装占位只有2mm×2mm，是TSOP-6尺寸的一半，而导通电阻则相差无几。MOSFET经由了100%的Rg测试，相符IEC 61249-2-21的无卤素规范，相符RoHS指令2002/95/EC。

新款SiA975DJ TrenchFET功率MOSFET现可供给样品，并已实现量产，大年夜宗订货的供货周期为十六周。

飞兆N沟道WL-CSP MOSFET延长便携应用电池寿命