日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列具有1MBd和10MBd数据速度的高速器件---VOW135、VOW136、VOW137和VOW2611，扩充其高隔离电压光耦的VOW Widebody家族。这些器件是为在高压新能源和工业应用里进步靠得住性而设计的，VIOTM为8000V，VIORM为1414V，外部爬电距离大年夜于10mm。

    今天推出的Vishay Semiconductors VOW Widebody光耦由一个GaAIAs红外发光二极管构成，二极管与集成的光探测器形成光学耦合。高安然隔离电压进步了产品的耐费用，除此以外，这些器件内部采取了Faraday樊篱，在输入和输出之间具有高功率开关应用所必须的异常高的噪声隔离才能。

    VOW135、VOW136、VOW137和VOW2611是为在太阳能逆变器等新能源，活动和电机控制以及焊接设备等工业应用里隔离低压和高压电路而设计的。采取VOW Widebody器件，就不须要昂贵的带保形镀膜的筹划，让设计者可以或许以低成本和小尺寸来知足国表里安然律例的请求。

    VOW135和VOW136可抵抗1000V/μs的共模瞬态，1MBd数据速度下高电平和低电平传播延迟小于2μs。VOW137和VOW2611的数据速度为10 MBd，可抵抗40000V/μs的共模瞬态，同时将高电平和低电平传播延迟保持在100 ns以下，高脉冲宽度畸变小于40ns。

    VOW Widebody光耦采取爬电距离大年夜于10mm的DIP-8 400mil Widebody通孔封装和外面贴装的弯引脚封装。器件相符RoHS指令2011/65/EU及Vishay的绿色标准，知足UL、cUL、VDE和CQC 5000 m强化绝缘的请求。<