新款25V器件在25A的电流下可以或许比其它顶级的传统电源模组产品削减5%以上的功率损耗，实用于12V输入DC-DC同步降压应用，包含先辈的电信和网路通信设备、伺服器、显卡、台式电脑、超极本(Ultrabook)和标记型电脑等。

    IRFHE4250D配备IR新一代矽技巧，并采取了合适后头贴装的6×6PQFN顶部流露纤薄封装，为电源模组带来更多封装选择。这款封装结合了出色的散热机能、低导通电阻(Rds(on))与栅极电荷(Qg)，供给卓越的功率密度和较低的开关损耗，大年夜而缩减电路板尺寸，晋升整系一切效力。

    近期，全球功率半导体和治理筹划引导厂商国际整流器公司(InternationalRectifier；IR)，推出IRFHE4250DFastIRFET双功率MOSFET，藉以扩充电源模组元件系列。

    IR亚太区发卖副总裁潘大年夜伟表示，高达60A额定值的IRFHE4250DFastIRFETMOSFET是全球首款顶部流露电源模组器件，供给行业领先的功率密度，有效知足请求顶尖效力的高机能DC-DC应用。

    与IR的其它电源模组器件一样，IRFHE4250D可与各类控制器或驱动器合营操作，以供给设计灵活性，同时以小的┞芳位面积实现更高的电流、效力和频率，还为IR电源模组带来全新的6×6PQFN封装选择。

    IRFHE4250D相符工业标准及第二级湿度敏感度(MSL2)标准，并采取了6×6PQFN顶部流露封装，备有相符电子产品有害物质管束规定(RoHS)的环保物料清单。<