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我国自主研制的首批8英寸IGBT芯片实现国产化
发布时间：2016-05-03 人气：0次 编辑：未知
据中国工程院院士、南车株洲所总经理丁荣军介绍，如不雅将IGBT等电力电子技巧应用到全国20%的电机中，每年可节约用电2000亿千瓦时，相当于两个三峡电站的年发电量。同时，中国自立研发的高功率等级的IGBT对涉及国度经济安然、国防安然等计谋性家当至关重要。<
近日，由我国自立研制的首批8英寸IGBT（绝悦魅栅双极型晶体管）芯片模块在昆明地铁车辆段完成段内调试并稳定运行1万公里，这标记住我国已彻底打破国外高端IGBT技巧垄断，实现大年夜研发、制造到应用的完全国产化。
此次试运行的IGBT模块，由中国南车株洲研究所旗下南车时代电气自立研发的8英寸IGBT芯片封装而成，IGBT芯片制造、封装、测试的┞符套技巧均在该公司研制和临盆。
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