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    日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，宣布600V EF系列快速体二极管N沟道功率MOSFET的两款器件---SiHx28N60EF和SiHx33N60EF。Vishay Siliconix SiHx28N60EF和SiHx33N60EF具有低向恢复电荷和导通电阻，可以或许在工业、电信、计算和可再生能源竽暌功用中进步靠得住性，节约能源。

    今天推出的600V快速体二极管MOSFET采取第二代超等结技巧制造，很好地弥补了Vishay现有的标准E系列元器件，扩充类似相移桥和LLC转换器半桥等可用于零电压开关(ZVS)/软开关拓扑的产品。

    SiHx28N60EF和SiHx33N60EF的反向恢复电荷(Qrr)比标准MOSFET低10倍以上，可在这些应用中进步靠得住性。低反向恢复电荷使器件可以或许更快地再次隔离完全击穿电压，有助于避免因击穿和热过应力而掉效。别的，减小Qrr使器件的反向恢复损耗低于标准的MOSFET。

    28A SiHx28N60EF和33A SiHx33N60EF有4种封装，分别具有123Ω和98Ω的超低导通电阻及栅极电荷，可以或许在太阳能逆变器、办事器和通信电源体系、ATX/银盒PC开关电源、焊接设备、UPS、电池充电器、半导体临盆设备，以及LED和HID照明等高功率、高机能的开关电源应用诚实现极低的传导损耗和开关损耗，大年夜而节约能源。

    这些器件可遭受雪崩和整流模式里的高能脉冲，包管极限值100%经由过程UIS测试。MEOSFET相符RoHS，无卤素。