在当今的高机能的电源体系设计中，确保靠得住性至关重要，是以高效的功能必须可以处理潜在的问题。同步整流电流反向就是如许一个问题。这产生在电容电流（寄生效应引起的）导致MOSFET在轻负载的情况下被过早激活时– 然后反向电流大年夜输出电容流回同步整流器。这不仅导致体系能效受到严重影响，还可能会导致运行故障。 为了防止这种情况的产生，必须在体系处于轻载前提时采取办法增长延迟。自适应逝世区时光┞菲握机制可以弥补寄生电感的存在，大年夜而减轻体二极管导通的不良影响。经由过程这种办法，可声调剂同步整流器关断点，以保持一个恒定的逝世区时光，而不受当时输出负载的影响。大年夜而持续保持高能效和对响应的热治理规定更少的请求（因为散热的削减）。 得益于专有的自适应逝世区时光┞菲握算法，安森美半导体的FAN6248双MOSFET驱动器控制器IC，可以或许充分化决上述挑衅。同时，它可以赞助工程师最大年夜化电源能效，并使体系尽可能紧凑、简单和具性价比。
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该器件优化用于现代LLC谐振转换器拓扑构造，最大年夜限度地削减同步整流MOSFET的体二极管传导。它经由过程应用一个独特的┞菲握办法，清除了电流反向的隐患，还可以避免同步整流误触发。经由过程两个感测输入，可以精确地肯定MOSFET两端的漏源电压，大年夜而推敲到关于次级绕组的任何纰谬称或不良耦合。如不雅经证实逝世区时光太长，那么偏置电压响应降低。大年夜而进步MOSFET的电压阈值，继而使同步整流器的导通时光延长（是以缩短相干的逝世区时光）。反之，如不雅逝世区时光太短，则降低MOSFET的电压阈值，大年夜而克制同步整流器的导通期。指定FAN6248控制器可以或许进步体系的电源能效，和实如今全部负载范围内的稳定运行（无电流反向的风险）。

   

请不雅看FAN6248评估板演示视频和拜访网站以懂得更详尽的信息。