意法半导体推出全新M系列1200V IGBT，以先辈的姑魅栅式场截止技巧 (trench-gate field-stop) 为特点，有效晋升太阳能逆变器 (solar inverters)、电焊机 (welding equipment)、不间断电源 (uninterruptible power supplies) 与工业电机驱动器等多项目标应用的能效和靠得住性。

    高度优化的导通性和关断性以及低导通损耗 (low turn-on loss)，让全新的改进型IGBT 特别实用于履行工作频率高达20kHz的硬开关电路 (hard-switching circuit)；最高工作温度进步至175°C，宽安然工作范围 (SOA, safe operating area) 无闭锁效应 (latch-up free)，150°C 时的短路耐受时光 (short-circuit withstand time) 为10µs，这些特点确保新产品在恶劣的外部电气情况中具有更高的靠得住性。

    新产品所用的第三代技巧包含新的先辈的姑魅栅构造设计和优化的高压IGBT架构，可以最大年夜限度地降低电压过冲 (voltage overshoot)，清除关断时代出现的┞否荡现象 (oscillation)，有效降低电能损耗，简化电路设计。与此同时，低饱和电压 (Vce (sat)) 可确保新产品具有很高的导通能效。正温度系数和窄饱和电压范围可简化新产品并联设计，有助于进步功率处理才能。

    新产品还受益于晋升的导通能效。此外，新产品与IGBT反向并联 (anti-parallel) 的新一代二极管一同封装，具有快速的恢复时光和加强的恢复软度特点，且导通损耗没有明显上升，进而实现更出色的EMI机能表示。

    40A STGW40M120DF3、25A STGW25M120DF3和15A STGW15M120DF3三款产品采取标准的TO-247封装，STGWA40M120DF3、STGWA25M120DF3和STGWA15M120DF3三款产品采取TO-247长引脚封装，今朝均已开端量产。<