2017年6月28日，北京讯—德州仪器（TI）近日推出一项立异的三相氮化镓（GaN）逆变器参考设计，可赞助工程师构建200 V，2 kW交换伺服电机驱动器和下一代工业机械人，具有快速的电流回路控制，更高的效力，更精确的速度和转矩控制。如今下载参考设计。   三相逆变器GaN功率级  
 三相高频GaN逆变器参考设计采取TI客岁最新推出的LMG3410 600-V，12-A GaN功率模块，具有集成FET、栅极驱动器和保护功能。 GaN模块可使设计开关比硅FET快5倍，可在100 kHz时实现高于98%的效力程度，在24 kHz脉宽调制（PWM）频率下，可实现高于99％的效力程度。应用GaN，设计人员可以优化开关机能，削减电机的功率损耗，并可降低散热片的尺寸以节俭电路板空间。与低电感电机合营应用时，以100kHz运行逆变器，可大年夜幅改良转矩脉动。 功率、速度和机能
TI新型三相逆变器设计的重要长处
 GaN逆变器功率级可与微控制器（MCU）轻松对接，包含TI的TMS320F28379D驱动控制片上体系，以赞助动态调剂电压频率并实现超快速电流环路控制。TI近日还推出了新型DesignDRIVE快速电流环路软件，具有立异的子周期PWM更新技巧，可赞助将伺服驱动器中的电流环路机能进步到小于1微秒，可达到电机转矩响应的三倍。该快速电流环路软件优于传统的基于MCU的电流环路解决筹划，并且可以免费应用controlSUITE™软件。 除了GaN模块，该参考设计依附于TI的AMC1306隔离delta-sigma调制器，具有电流检测功能，可进步电机控制机能。TI的ISO7831数字隔离器还为MCU和该设计的六个PWM之间供给加强隔离。 

 

• 高效力功率级：100kHz PWM时为98％，24kHz PWM时为99％，可降低散热片尺寸
• 高脉宽调制（PWM）频率：高PWM开关频率可实现以极小电流纹波驱动低电感电机
• 快速开关转换：小于25ns，无任何开关节点电压振铃，降低电磁干扰
• 600V和12A LMG3410 GaN FET功率级，具有跨越700万个器件靠得住性小时数：可实现快速简便的PCB构造和小尺寸设计。

其他设计资本
 

• 浏览新白皮书《高精度电机驱动控制促进工业进步》。
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