Vishay发布11颗采用Gen II超级结技术的新款500V高压_新品发布_电源资讯--跃迁电源,跃迁电子,跃迁光电--苏州聚永达电子科技有限公司

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其500V系列高压MOSFET新增11颗新器件，这些器件合适应用在功率不跨越500W的开关电源。这些Vishay Siliconix MOSFET具有与E系列600V和650V器件雷同的长处极低导通损耗和开关损耗等，可赞助客户达到更高的机能/效力标准，例如某些高机能花费类产品、照明应用，以及ATX/银盒PC开关电源所请求的严格的80 PLUS转换效力标准。

器件的低导通电阻还有助于进步功率密度，同时其更快的开关速度可进步如功率因数校订(PFC)、双开关正激转换苹赝反激式转换器等典范硬开关拓扑的效力。

器件相符RoHS，可遭受雪崩和换流模式里的高能脉冲，并且包管限值经由过程100%的UIS测试。

今天推出的┞封些500V MOSFET采取第二代超等结技巧制造，为基于标准平面技巧的Vishay现有的500V D系列供给了高效力的弥补产品。器件的电流大年夜12A到20A，具有190mΩ～380mΩ的低导通电阻和22nC～45nC的超低栅极电荷，这种组合为功率转换应用供给了十分有利的优值系数(FOM)。

器件规格表：

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Vishay发布11颗采用Gen II超级结技术的新款500V高压

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