Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一对1A额定值的40V紧凑型栅极驱动器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY，旨在控制板上和嵌入式电源以及电机驱动电路的高电流功率MOSFET。ZXGD3009E6 (采取SOT26封装) 和 ZXGD3009DY (采取SOT363封装) 可缩减MOSFET的开关时光，有助于尽量降低开关损耗、改良功率密度，以及晋升整体转换效力。

    新驱动器作为低功率控制IC的高增益缓冲级，可以或许大年夜仅10mA的输入电流供给500mA的典范驱动电流，大年夜而使功率MOSFET电容负载实现快速充放电功能。驱动器具有超速开关，并且供给少于5ns的传递延迟时光，以及少于20ns的起落时光。

    两款ZXGD3009系列的产品经由过程分开的抽灌注贯注出来自力控制MOSFET的开关时光，使MOSFET的工作模式更能知足应用的需求。器件能以正负电压驱动栅极，确保功率MOSFET硬关断的靠得住性 。

    新栅极驱动器备有稳定的射极跟随器，以防止闭锁和击穿现象，并能遭受高达2A的峰值电流。两款产品供给的40V宽广工作电压范围，加上功率MOSFET栅极驱动，也使它们能处理远超于功率MOSFET栅极驱动常见的12V电压尖峰。<