日前，德州仪器 (TI) 推出其NexFET™ 产品线11款新型N沟道功率MOSFET，个中包含具有业界最低导通电阻并采取QFN 封装的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可应用于热插拔和ORing应用。此外，TI面向低电压电池供电型应用的新型12-V FemtoFET™ CSD13383F4在采取0.6 mm x 1mm纤巧型封装的情况下实现了比同类竞争器件低84% 的极低电阻。

    CSD16570Q5B和CSD17570Q5B NexFET MOSFET可在较高电流前提下供给较高的电源转换效力，同时在计算机办事器和电信应用中确保安然的运作。例如：25-V CSD16570Q5B 支撑0.59 mΩ的最大年夜导通电阻，而30-V CSD17570Q5B 则实现了0.69 mΩ 的最大年夜导通电阻。请下载浏览一款采取 TI CSD17570Q5B NexFET的12V、60A热插拔参考设计，来进一步进行懂得。

    TI 的新型 CSD17573Q5B和CSD17577Q5A可与面向DC/DC控制器应用的LM27403合营应用，大年夜而构成一套完全的同步降压型转换器解决筹划。CSD16570Q5B 和 CSD17570Q5B NexFET功率MOSFET则可与诸如TPS24720等TI热插拔控制器配套应用。浏览 《稳健靠得住的热插拔设计》，可进一步懂得若何将一个晶体管选用为传输元件，以及如何在所有可能的情况下确保安然运作。

    TI 的 NexFET 功率 MOSFET晋升了高功率计算、收集、工业和档链竽暌功用中的能量效力。词攀类高频、高效力的模仿功率 MOSFET 使得体系设计人员可以或许应用现有的最先辈的DC/DC电源转换解决筹划。<

    如下是TI 推出具有业界最低导通电阻的NexFET™ N沟道功率MOSFE。

    新型 NexFET 产品及重要特点

    供货情况、封装和价格

    今朝，FemtoFET CSD13383F4 以及 CSD17670Q5B 和 CSD17570Q5B 产品可经由过程 TI 及其授权分销商批量采购。

    关于 TI 的 NexFET 功率 MOSFET