意法半导体是业界少数具有高靠得住性、高能效碳化硅功率半导体研发的引导厂商之一，并始终致力于技巧的研发与进级。此次推出的1200V SCT20N120进一步扩大年夜了碳化硅MOSFET产品系列，具有小于290mΩ的通态电阻 (RDS(ON)) 及高达200°C的最大年夜工作结温等诸独特点优势；其高度稳定的关断电能 (Eoff) 和栅电荷 (Qg) 可使开关机能在全部工作温度范围内表示持之以恒。最终的低导通损耗和开关损耗合营超低泄漏电流，将有助于简化热治理设计，并最大年夜限度地进步靠得住性。

    除更低的电能损耗外，意法半导体的碳化硅MOSFET的开关频率也同样出色，较一致级的硅绝悦魅栅双极型晶体管 (IGBT) 赶过三倍，这让设计人员可以或许应用更小的外部元器件，进而降低产品尺寸、重量以及材料成本。SCT20N120的耐高温性可大年夜幅度简化电源模块、电动汽车等应用的散热体系 (cooling-system) 设计。

    意法半导体推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶体管，其先辈的能效与卓越的靠得住性将为更多节能应用带来技巧优势，包含纯电动汽车和混淆动力汽车的逆变器、太阳能或风力发电、高能效驱动器、电源以及智能电网设备。

    SCT20N120采取意法半导体独有的HiP247™封装，其更高的热效力可使管子在最大年夜工作温度高达200°C时，依然可以或许保持与TO-247 工业标准功率封装外不雅兼容。<