中车时代电气碳化硅器件项目经由过程科技结不_产品动态_电源资讯--跃迁电源,跃迁电子,跃迁光电--苏州聚永达电子科技有限公司

本次剖断会由中国登着螫会组织，西安电子科技大年夜学的郝跃院士担负剖断会主任，中国 IGBT 技巧立异与家当联盟、中电集团五十五所、电子科技大年夜学、北京大年夜学、全球能源互联网研究院、中科院电工所和中科院物理所等各单位专际录：剖断会委员。剖断委员会卖力听取了项目完成单位关于该结不雅的研制申报、技巧申报、用户应用申报及经济效益和社会效益分析申报，核阅了查新申报、测试申报和材料审查申报等相干技巧材料。 “高机能 SiC SBD、MOSFET 电力电子器件产品研制与应悠揭捉证”项目实现了高机能 SiC SBD 650V／150A、1200V／100A、1700V／50A、3300V／32A和5000V／3A 五个代表品种和 SiC MOSFET 600V／5A、1200V／20A 和1700V／5A 三个代表品种，部分产品已应用于光伏逆变、轨道交通、电动汽车等范畴。经质询和评论辩论，剖断委员会认为该项目在高功率 SiC 器件构造设计、关键制造工艺和界面态控制等技巧取得冲破，器件机能达到国内领先、国际先辈程度，结不雅已经在地铁车辆牵引体系运行6000公里，光伏电场挂机发电19．5MWh，混淆动力城市客车袈渌行9469公里，具有优胜的社会和经济效益。剖断委员会一致赞成该项目结不雅经由过程科技结不雅剖断。

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