日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，宣布3颗新的600V EF系列快恢复二极管N沟道功率MOSFET---SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF。Vishay Siliconix的┞封三款器件具有低反向恢复电荷和导通电阻，在工业、电信、计算和可再生能源竽暌功用中可进步靠得住性，并且节能。

    今天推出的┞封些600V快恢复二极管MOSFET采取第二代超等结技巧制造，充分了Vishay现有的标准E系列器件，使公司有更多的器件可用于类似移相

    全桥和LLC半桥的零电压开关(ZVA)/软开关拓扑。

    在这些应用里，SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF具有反向恢复电荷(Qrr)比标准MOSFET低十倍的优势，进步了靠得住性。这些器件是以可以或许更快地防止电压击穿，有助于避免纵贯击穿和热击穿。

    21A SiHx21N60EF有四种封装，47A SiHx47N60EF和70A SiHx70N60EF各有两种封装。器件分别具有176mΩ、65mΩ和38mΩ的超低导通电阻和低栅极电荷。这意味着在太阳能逆变器、办事器和通信电源、ATX/Silver box计算机开关电源、焊接设备、UPS、电池充电器和半导体临盆设备中的高功率、高频开关应用里，可实现极低的导通和开关损耗。

    这些器件可以或许遭受雪崩和换流模式里的高能脉冲，包管经由过程100%的UIS测试。这些MOSFET相符RoHS，无卤素。

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