这些器件能供给低得令人难以置信的导通电阻RDS(on) 值，大年夜而将导通损耗降至最低并晋升整体工作能效程度。它们还有低至2164皮法(pF)的门极电容(Ciss)，确保保持尽可能低的驱动损耗。

    推动高能效立异的安森美半导体，针对数据收集、电信和工业应用推出新的高能效单N沟道功率MOSFET系列，进一步扩大年夜其宽广的产品声威。

    安森美半导体新的NTMFS5C404NLT、NTMFS5C410NLT 和 NTMFS5C442NLT MOSFET额定击穿电压为40伏(V)，最大年夜导通电阻值(Vgs为10 V时)分别为0.74毫欧(mΩ)、0.9 mΩ和2.8 mΩ，持续漏电流分别为352安(A)、315 A和127 A。与这些器件相辅相成的NTMFS5C604NL、NTMFS5C612NL 和 NTMFS5C646NL，额定击穿电压60 V，最高导通电阻分别为1.2 mΩ、 1.5 mΩ 和 4.7 mΩ，而相干的持续漏电流为287 A、 235 A 和 93 A。40 V和60 V的┞封两种器件的额定工作结温都高达175 ˚C，大年夜而为工程师的设计供给更大年夜的热余裕。安森美半导体将推出采取更多的电阻值和不合的封装，如micro8FL、DPAK 和 TO220来扩大年夜此产品线。

    安森美半导体功率分立产品副总裁兼总经理Paul Leonard说：“OEM的工程团队赓续致力于创建更高能效的电力体系设计，同时占用更罕用板空间。我们新加的器件扩大年夜了我们广泛的功率MOSFET产品声威，为客户供给高机能的器件，采取紧凑的、高热能效的封装，赞助他们达到更高能效的设计目标。”<