SiC Mosfet具有耐高压、低功耗、高速开关的特质，极大年夜地晋升了太阳能逆变器的电源转换效力，拉长新能源汽车的可跑里程，应用在高频转换器上，为重型电机、工业设备带来高效力、大年夜功率、高频率优势……

    i. 低导通电阻RDS（ON），使SiC Mosfet具有优胜的┞俘向压降和导通损耗机能，更适应高温情况下的工作；

    据查询拜访公司Yole developmet统计，SiC Mosfet现有市场容量为9000万美元，估计在2013-2020年SiC Mosfet市场将每年增长39%。由此可预感，SiC即将成为半导体行业的新宠！

    SiC Mosfet比较Si IGBT重要有以下优势：

    ii. 优良的输入特点，即SiC Mosfet拥有低栅极电荷，具备卓越的切换速度；

    iii. 宽禁带宽度材料，SiC Mosfet具有相当低的漏电流，更适应在高电压情况中的应用；

    日前，MORNSUN与SiC Mosfet行业龙头企业合作，打造了一款SiC Mosfet专用的隔离转换DC-DC模块电源--QA01C。

    QA01C在效力高达83%的情况下，具有纰谬称+20VDC/+100mA、-4VDC/-100mA输出，完美知足SiC Mosfet的靠得住开启及关断请求。低至3.5pF的隔离电容，许可QA01C工作在高频应用中，不被反复充放电拖慢工作频率。3500VAC高隔离耐压，削减了高压总线对低压控制侧的干扰。220uF安闲性负载使得QA01C具有瞬时驱动大年夜功率特点，更好地应对SiC Mosfet对高频开关的请求。 style="WIDTH: 244px; HEIGHT: 168px" width="349" />

    今朝，QA01C系列已经经由过程了UL/CE/CB60950认证，产品靠得住性已经获得了威望机构的承认。

    ● 隔离电容3.5pF

    ● 高隔离电压3500VAC

    ● 可持续短路保护

    ● 纰谬称驱动电压：输出电压+20/-4VDC，输出电流+100/-100mA

    ● 安闲性负载220uF

    ● 效力高达83%

    ● 工作温度范围: -40℃ ~ +105℃