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英飞凌推出整合IGBT与二极体功能的单晶片
发布时间:2016-05-03 人气:0次 编辑:未知
英飞凌科技(Infneon TEchnologies)推出6.5kV功率模组,在单一晶片上整合IGBT与飞轮二极体功能。新款RCDC(具备二极体控制功能的逆导IGBT)晶片,合实用于现代化高速火车与高效能牵引式机械、将来的HVDC电力传输体系,以及石油、天然气与采矿等家当所应用的中电压马达。
英飞凌推出整合IGBT与二极体功能的单晶片
相较于之前雷同尺寸的模组,RCDC技巧将电流密度进步33%,并改良了散热效能,是以杀青更长的生命周期、更高的靠得住性,进而将所需的保护减到起码。
应用RCDC技巧,英飞凌扩充其高效能IGBT的6.5kVKE3产品组合。在正向与反向电流偏向皆建置功率更高的矽区块,进步了电流密度,这让设计人员可以或许增长体系输出功率,而不需扩大年夜面积。功率密度进步的效益,也可用来保持功率,同时削减IGBT的数量,进而缩减体系尺寸、重量与成本。
英飞凌RCDC解决筹划供给IHV-A高绝缘封装,采取业界标准尺寸,可直接替代现有的应用。除了杀青更高的功率密度外,将IGBT与二极体整合于单一晶片,也可大年夜幅进步二极体I2t值,以及IGBT与二极体的热阻抗(Rth/Zth),后者确保全部运作过程中幻想的散热效能。更低的晶片温度(Tvj)涟波,可延长运作寿命;应用闸极控制的选项,也可让设计人员衡量弃取导通与切换损耗,以杀青最高整体效力。
RCDC模组现已开端供给工程设计样品,搭配包含驱动器评估板的入门套件,估计于2015年第4季推出。为简化与加快产品建置,英飞凌供给各类设计增援选项,包含应用手册与控制概念。<
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