意法半导体的BiCMOS55 SiGe 先特技巧被欧洲E3NETWORK项目构成取，用于开辟合适下一代移动收集的高效力、高容量数据传输体系。

    移动数据应用量的迅猛增长，请求收集体系支撑更大年夜的容量和更高的数据传输速度。而若何加快移动收集向先辈收集架构转型的速度，对移动回程线路（backhaul）基本举措措施是一个新的挑衅，例如异构收集（Heterogeneous Network）与云端无线接入收集（RAN, Radio Access Network），个中更高频段（例如E-band ）可供给更大年夜带宽，以支撑更快的数据传输通道。

    扶植这些超高效力的移动收集，设备厂商须要拥有高机能且低功耗、低成本的大年夜范围集成电路电子元器件。E3NETWORK项目应用意法半导体的高集成度、低功耗BiCMOS55Si制造工艺，开辟出55纳米的Ft高达320GHz的异质双极晶体管（HBT, Heterojunction Bipolar Transistors）。这项制造工艺准许在一颗芯片上集成高频模仿模块与高机能、高容量的数字模块，例如逻辑电路、AD/DA转换器和存储器。

    经由过程在一颗芯片上集成射频、模仿及数字电路，意法半导体BiCMOS55 SiGe器件不仅大年夜幅降低了外围设备的数量，亦可以或许同时进行功耗优化。<

E3NETWORK项目采取意法半导体的BiCMOS55制造，今朝正在研发一个集成化的E-band收发器，用于去程线路（Fronthaul）和回程线路基本举措措施，以实现数字独裁调制，及高度聚焦的笔形波束（Pencil-beam）传输，数据速度可高达10Gbps。笔形波束的属性有助于进步回程线路和去程线路频率再用率，同时在毫米波（millimeter-wave）鞠嗨时代保护频谱应用率（Spectrum efficiency）不受影响。

    作为欧盟第7框架筹划中的一个项目，E3NETWORK（Energy efficient E-band transceiver for backhaul of the future networks）汇集了浩瀚企业，个中包含CEIT（西班牙）、Fraunhofer（德国）、阿尔卡特朗讯（意大年夜利）、CEA（法国）、INXYS（西班牙）、OTE（希腊）、SiR（德国）、Sivers IMA（瑞典）和意法半导体（意大年夜利）。

    编者注：

    ST的BiCMOS技巧将两种不合制造工艺的优势整合在一颗芯片上，双极晶体管供给高传输速度及高增益，这对于高频模仿电路至关重要，而CMOS元器件在构建简单、低功耗逻辑门方面的应用表示也异常出色。