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高通骁龙6系芯片下半年升级为10nm 工艺
发布时间：2018-03-01 人气：0次 编辑：未知
联发科在MWC2018上发布了Helio P60，它基于台积电12nmFinFET工艺打造，采用4颗Cortex A73大核＋4颗Cortex A53小核组成，CPU最高频率为2．0GHz，GPU为Mali－G72 MP3，频率为800MHz。
style="width: 500px; height: 300px;" /> 它最高支持8GB LPDDR4X内存，闪存最高支持UFS 2．1。从规格不难看出，联发科Helio P60定位中端，其对标的是高通骁龙6系芯片。不过对于高通来说，联发科似乎并没有对其构成威胁。
据业内人士＠草Grass草透露，2018年下半年高通骁龙6系以上芯片全线升级为10nm工艺制程，并开始向4系渗透，对联发科形成全面包围之势。这次升级，不仅使高通骁龙6系芯片性能有所提升，功耗、发热控制也会更加优秀，届时对联发科Helio P60带来不小的压力。
根据此前曝光的消息，高通下一代中端芯片骁龙670将采用10nm工艺制程，其CPU内核将会以big．LITTLE架构的形式呈现。它有2颗高端定制Cortes A－75内核，用Kryo 300 Gol架构搭建；还有6颗低端定制Cortex A－55内核，用Kryo 300 Silver架构搭建。低端内核最高时钟速度约为1．7GHz，高端内核可达2．6GHz。
style="width: 500px; height: 300px;" /> 它最高支持8GB LPDDR4X内存，闪存最高支持UFS 2．1。从规格不难看出，联发科Helio P60定位中端，其对标的是高通骁龙6系芯片。不过对于高通来说，联发科似乎并没有对其构成威胁。
据业内人士＠草Grass草透露，2018年下半年高通骁龙6系以上芯片全线升级为10nm工艺制程，并开始向4系渗透，对联发科形成全面包围之势。这次升级，不仅使高通骁龙6系芯片性能有所提升，功耗、发热控制也会更加优秀，届时对联发科Helio P60带来不小的压力。
根据此前曝光的消息，高通下一代中端芯片骁龙670将采用10nm工艺制程，其CPU内核将会以big．LITTLE架构的形式呈现。它有2颗高端定制Cortes A－75内核，用Kryo 300 Gol架构搭建；还有6颗低端定制Cortex A－55内核，用Kryo 300 Silver架构搭建。低端内核最高时钟速度约为1．7GHz，高端内核可达2．6GHz。
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