Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的100V全H桥DMHC10H170SFJ，把双N通道及P通道 MOSFET集成到微型DFN5045封装 (5mm x 4.5mm)。这种设备可削减元件数量以及节俭电路板空间，别的对请求配备多种器件的应用尤为重要，包含一系列工业检测体系或海事声呐设备内的超声波换能器。其它常见的应用有48V电信设备散热电扇的直流驱动电机，以及无线充电板线圈等电感负载。

    DMHC10H170SFJ具有100V漏源极击穿电压 (BVDSS)，供给充分的净空以支撑48V电信轨和工业应用。它还配备5V的┞筏极电压，以简化微控制器的直接逻辑电平接口之设计。该器件的峰值脉冲电流额定值为11A，使之可以或许在驱动线圈通电时处理冲击电流，这一般比直流电机的典范工作电流大年夜五倍。

    新产品可替代四个SOT23或两个SO-8封装器件，使多个超声波换能器能以紧凑的摆设安排。以1,024个换能器一组为例，每个都必须由H桥零丁驱动，大年夜而为相控阵体系供给可控的聚焦光束。这种体系用来检测材料临盆流程，并且实用于海事反响定位体系。

    DMHC10H170SFJ采取了V-DFN5045-12封装，供给市场上独有的超小尺寸解决筹划。新产品以三千个单位为出货批量。<