全球功率半导体和治理筹划引导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列获得工业认证的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET，为不间断电源 (UPS) 逆变器、低压电动对象、ORing应用和收集通信及和办事器电源等应用供给异常低的┞筏极电荷 (Qg) 。

 

这些稳定耐用的MOSFET采取IR最新一代的沟道技巧，并且经由过程异常低的导通电阻 (RDS(on)) 来削减散热。此外，新器件的超低栅极电荷有助于延长不间断电源逆变器或电动对象的电池寿命。

 

IR亚洲区发卖副总裁潘大年夜伟表示：“新器件可以或许供给最佳性价比。此外，经由过程供给四个等级的RDS(on) 及将Qg保持在30V的程度，新器件可让设计工程师灵活地选择最合适的器件，来合营其设计的规范和请求。”

 

新款MOSFET拥有充分表征的崩溃电压和电流。跟着IR对这些基准MOSFET的持续开辟，它们将可以作为现有30V TO-220器件的直接替代品或进级品。

 

新器件获得了工业级及一级潮湿敏感度 (MSL1) 认证。这些30V MOSFET采取TO-220封装，皆为无铅设计，并相符电子产品有害物质管束规定 (RoHS) 指令。

 

产品的根本规格：

器件编号

4.5

封装

57

@ 4.5V

 

I_D @ TC

典范Qg

 (nC)

典范Qgd

 (nC)

V_BRDSS

4.2

(V)

(mOhms)

@ 10V

(mOhms)

(A)

100°C

(A)

IRLB8721PbF

TO-220AB

30

8.7

62

44

7.6

3.4

TO-220AB

30

3.2

150

110

36

13

IRLB8748PbF

TO-220AB

IRLB8743PbF

30

R_DS(on)

6.8

4.8

92

65

15

5.9

IRLB3813PbF

25°C

TO-220AB

30

2.6

1.95

260

190

19