日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采取双面冷却、导通电阻最低的60V器件——SiE876DF。新的SiE876DF采取SO-8尺寸的PolarPAK封装，在10V栅极驱动下的最大年夜导通电阻为6.1Ω，比市场上可供比较的最接军火件减小了13%。

N沟道SiE876DF的目标应用是工业型档链、马达控制电路、用于办事器和路由器的AC/DC电源，以及应用负载点(POL)功率转换的体系，还可以在更高电压的中心总线转换(IBC)设计顶用做初级侧开关或次级侧整流。

在这些应用中，低导通电阻的SiE876DF可以产生更低的传导损耗，大年夜而节约能源。除了TrenchFET硅技巧对降低导通损耗的供献外，PolarPAK封装的双面冷却还能为高电流应用供给更好的热机能，如许器件可以在更低的结温下工作。PolarPAK的引线框封装设计还能进步保护机能和靠得住性，此外，因为硅片不是裸露在外的，这种封装还能简化制造过程。器件的布版和其他PolarPAK器件是雷同的，漏源电压等级低于150V，是以能简化PCB设计。SiE876DF还百分之百经由过程了Rg和UIS测试。

60V的SiE876DF现可供给样品，并已实现量产，大年夜宗订货的供货周期为十周至十二周。