致力于亚太地区市场的领先案婕体元器件分销商---大年夜联大年夜控股宣布，其旗下友尚推出ST MDmesh™ M2系列的新款N-通道功率MOSFET---600V MDmesh M2 EP。该系列MOSFET可以或许为办事器、标记本电脑、电信设备及花费性电子产品电源供给业界最高能效的电源解决筹划，在低负载前提下的节能效不雅特别明显，让设计人员可以或许开辟更轻、更小的开关式电源，同时轻松达到日益严格的能效目标请求。

    新款600V MDmesh M2 EP产品整合ST经市场验证的条形构造（strip layout）和全新进化的垂直构造与优化的扩散制程（diffusion process），拥有优良的开关设计，包含极低的导通电阻和关机开关损耗，是特别为超频功率转换器（f> 150 kHz）专门设计，为请求最严格的电源供给器（PSU，Power Supply Unit）的幻想选择。

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    硬开关和软开关电路拓扑均实用，包含谐振拓扑（resonant topologies），例如LLC谐振，新器件的开关损耗极低，特别是在低负载前提下，低损耗更为明显。除MDmesh M2产品的┞发极电荷（Qg）极低外，M2 EP产品的关机能耗（Eoff ）还可降低20%，而在硬开关转换器中，关机损耗同样降低20%。在低电流范围内降低Eoff损耗，有助于进步低负载能效，进而协助电源厂商顺利杀青日益严格的能效认证请求。

    MDmesh M2 EP系列锁定须要高能效的电源竽暌功用，供给多种封装选择（PowerFLAT 5x6 HV、DPAK、D2PAK、TO-220、TO-220FP、I2PAKFP、TO-247），所有产品均已量产。<

图示1-大年夜联大年夜友尚代劳的ST600V MDmesh M2 EP照片

    进级后的关机波形（turn-off waveforms）可进步谐振转换器的能效、降低噪声，每周期收受接收再应用更多电能，而不是以散热的情势浪费掉落。

    新款MDmesh M2 EP系列的重要特点：

    极低的┞发极电荷（Qg低至16 nC）

    针对轻负载前提优化电容曲线（capacitance profile）

    针对软件开关优化Vth和Rg参数

    稳健的本体二极管（body diode）